Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD

AUTOR(ES)
FONTE

Cerâmica

DATA DE PUBLICAÇÃO

2002-03

RESUMO

A síntese de filmes finos de TiO2 foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo de deposição, e temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetros na microestrutura final do filme foi analisada por microscopia eletrônica de varredura com espectroscopia de raios X dispersiva de elétrons, microscopia de força atômica e difração de raios X.

ASSUNTO(S)

compostos organometálicos filmes finos

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