Filmes finos amorfos e policristalinos para aplicações fotovoltaicas

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1985

RESUMO

Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) que o fazem adequado às aplicações como camada anti-refletora e eletrodo transparente. Os nitretos de silício são obtidos com gap óptico variável entre 1.8 e 2.2 eV e podem ser eficientemente dopados do tipo p, sendo indicados como material "de janela" em estruturas pin. Foram fabricadas células tipo Schottky, utilizando as junções paládio-silício amorfo e óxido de estanho-silício amorfo. A interface Sn02/a-Si:H apresenta reduzida velocidade de recombinação superficial para os portadores foto-gerados, mas uma altura de barreira menor que a estrutura Pd/a-Si:H. Obteve-se uma eficiência de conversão de 0.46% que se acredita estar limitada essencialmente pelas impurezas no material

ASSUNTO(S)

filmes finos - propriedades oticas

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