Estudo por dinâmica molecular de deformações mecânicas no cobre e nos semicondutores SiC e InP

AUTOR(ES)

Hélio Tsuzuki

DATA DE PUBLICAÇÃO

2008

RESUMO

Nesta tese, propusemos um método alternativo de caracterização estrutural baseado no cálculo de um parâmetro único que depende da vizinhança atômica em comum. Fizemos uma comparação com outros dois métodos bem conhecidos na literatura, a análise de vizinhos em comum (CNA) e o parâmetro centrossimétrico (CSP), as vantagens do método desenvolvido em frente a estes dois métodos. Investigamos a dinâmica das discordâncias aceleradas por stress em cobre usando simulações de dinâmica molecular (DM). A estrutura e o movimento de discordâncias em cunha dissociadas são analisados usando o parâmetro de vizinhança comum e stress local. As discordâncias são aceleradas por alto stress e atingem a velocidade estável em dois regimes transônicos. As discordâncias supersônicas são geradas mas são passageiras, pois necessitam de alto stress, o que provoca o surgimento de múltiplos dipolos de discordâncias. Um platô de velocidade no primeiro regime transônico indica um regime sem radiação de acordo com previsões teóricas. Estudamos as propriedades mecânicas do carbeto de silício (SiC) e do fosfeto de índio (InP). Para este último, em particular, determinamos as propriedades elásticas como função da temperatura. Realizamos o estudo da resposta elástica nos nanofios de InP (blenda de zinco) e SiC (wurtzita e blenda de zinco) com diferentes secções transversais sob tensão uniaxial de compressão/estiramento com taxas de deformação de 0;1 %ps��1 e 0;2 %ps��1. Também realizamos o estudo aplicando diferentes taxas de deformação de 0;1 %ps��1 a 10 %ps��1 para o InP e de 0;2 %ps��1 a 20 %ps��1 para o SiC, para os nanofios com secção transversal de 25 nm2. Observamos as transformações estruturais contínuas blenda de zinco ! -Sn no estiramento e wurtzita ! wurtzita deformada na compressão nos nanofios sob deformação.

ASSUNTO(S)

caracterização estrutural fisica copper nanofios csp silicon carbide dinâmica molecular dislocations tensão deformação structural characterization nanowires discordâncias cna indium phosphide

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