Estudo dos parametros da difusão de Zn em GaAs e Ga07 Ae0,3As

AUTOR(ES)

Edna Aparecida Sabadini Sato

DATA DE PUBLICAÇÃO

1982

RESUMO

Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação. Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano. Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas

ASSUNTO(S)

teoria de faixa de energia de solidos

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