Estudo da formação de interface de boreto para a deposição de diamante cvd sobre carboneto de tungstênio / Study of the formation of interface of boreto for deposition of diamond cvd on carbide of tungsten

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2008

RESUMO

Neste trabalho foi desenvolvido um metodo de preparação de uma interface para crescimento de diamante-CVD aderente em substrato de carboneto de tungstênio sinterizado com cobalto (WC-Co). Esse metodo consiste na termodifusão reativa de boro na superfície do WC-Co. Este processo de boretação usa uma mistura de pós contendo B_4C, KBF_4 , C e SiC, é feita em um cadinho de aço inoxidável, a uma temperatura de 1000°C, por 5h. A camada boretada formada por este processo tem espessura em torno de 5 a 7 m, e seu componente principal e a fase ternária CoW_2B_2. Esta fase e estável nas condições de crescimento de diamante e mostra-se eficiente em bloquear a migração de cobalto para a superfície. Sem a presença de cobalto livre na superfície pode-se obter filmes de diamante CVD com elevada aderência. Apos a boretação foi feito o crescimento de diamante usando um reator de lamento quente com uma mistura de gases contendo 2% de CH_4 em H_2 a uma pressão de 50 Torr., e filamentos de tungstênio na temperatura de 2200°C com a temperatura do substrato na faixa de 850-900°C. Os substratos de WC-Co, as camadas boretadas e os lmes de diamante obtidos foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura (MEV) e difração de raios-X. A qualidade dos lmes de diamante obtidos foi caracterizada por espectroscopia Raman e sua aderência foi estimada por indentação com ponta Rockwell C, com carga variável.

ASSUNTO(S)

tungsten carbide interface thermodiffusion interface termodifusão carboneto de tungstênio boretação cvd-diamond boronizing diamante-cvd

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