Estudo da estrutura eletronica dos semicondutores PbTe, PbTe e PbSe
AUTOR(ES)
Jose Arturo Valdivia Leon
DATA DE PUBLICAÇÃO
1994
RESUMO
We present here the band structure and the density of states of the lead salts PbTe, PbS and PbSe, resulting from the parametrized Linear Combination of Atomic Orbitals method of Slater and Koster, with the Vogl base Sp3S.; by considering first neighbors and the Pauli s relativistic hamiltonian. Our results show that with this simple model, a 20 x 20 matrix and thirteen adjustable parameters, we can acceptly reproduce the valence and the first conduction bands ca1culated by relativistic local Empirical Pseudopotential Method
ASSUNTO(S)
cristais semicondutores chumbo
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000079075Documentos Relacionados
- Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato SOI
- Fabricação e caracterização de vidros dopados com quantum dots de PbTe
- Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
- Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho.
- Fabricação de multicamadas de Quantum Dots de PbTe por laser ablation