Electrical resistivity anisotropy in nanostructured thin films. / Anisotropia de resistividade elétrica em filmes finos nanoestruturados.

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

O objetivo principal deste trabalho foi desenvolver um dispositivo de filme fino com anisotropia de resistividade elétrica. A idéia foi usar um efeito quântico presente em filmes muito finos de materiais condutores ou semicondutores com morfologia anisotrópica na superfície. A morfologia foi um perfil unidirecional quase-senoidal. As resistividades foram determinadas medindo-se as resistências elétricas destes materiais em direções ortogonais, levando-se em conta a geometria da amostra e suas dimensões. O material condutor usado foi Polimetilmetacrilato (PMMA) com ouro implantado na superfície. A profundidade média de implantação foi 2,7 nm. Na fabricação do dispositivo foi utilizada micro e nanolitografia, caracterização por Microscopia Eletrônica de Varredura e Microscopia de Força Atômica e implantação de ouro por MePIIID (Metal Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition).

ASSUNTO(S)

microscopia de força atômica microfabricação materiais nanoestruturados scanning electron microscopy litografia litography new materials plasma (microeletronics) plasma deposition nanolitografia microscopia eletrônica de varredura novos materiais plasma (microeletrônica) electrical resistivity atomic force microscopy microfabrication nanofabricação deposição por plasma resistividade elétrica nanostructured materials nanofabrication nanolithography

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