Desenvolvimento de um sistema RP/RTCVD para deposição de filmes finos isolantes e metalicos
AUTOR(ES)
Marlio J. Couto Bonfim
DATA DE PUBLICAÇÃO
1992
RESUMO
Thin film deposition by means of Chemical Vapor Deposition (CVD) has been of a great interest, specially in microelectronics. This work shows the development of a RT/RPCVD (Rapid Thermal / Remote Plasma CVD) systems for thin film deposition of dielectrics and metais, for use on microelectronics appliations. It is a very fIexible system because of its capabilities of Remote Plasma and Rapid Thermal Processing. It s reaction chamber is isolated from environment through a load-Iock, making the process less susceptible to external contaminants and allowing automated loading, and other advantages. A preliminary study of Silicon Dioxide deposition was used to characterize and validate the system. The process dependency with temperature, time, pressure, fIow of reactants and plasma uniformity measurements, Infra power was evaluated. Film thickness and Red spectroscopy, optical and electronics microscopy were performed to characterize the films. Deposition rates between 10 nm/min and 1000 nm/min were achieved in selected process conditions, while the uniformity of the film was from 2% to 5%. Film stoiquiometry was Si 1,7-1,9 with low incorporation of strange elements, even under plasma assisted depositions
ASSUNTO(S)
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