Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1988

RESUMO

Neste trabalho, apresentamos os primeiros resultados relativos ao crescimento epitaxial de camadas semicondutoras de GaAs, sobre substratos de GaAs orientados na direção (100), a partir de trimetilgálio e arsina, num sistema MOVPE (Metalorganic Vapour Phase Epitaxy), construído com tecnologia nacional e instalado no Centro de Pesquisa e Desenvolvimento (CPqD) da Telebrás. Inicialmente, fazemos uma revisão das principais técnicas de crescimento epitaxial, com especial atenção ao MOVPE, e apresentamos a teoria da cinética de crescimento em fase de vapor. Aspectos da dinâmica de fluido são destacados por se constituirem a etapa lenta da velocidade do processo. Os principais conceitos sobre semicondutores e as formas de caracterizá-los são revistos, também. A parte experimental inclui considerações sobre a construção do sistema, relacionando características técnicas com as características desejadas da camada. São mostrados os resultados referentes a calibração do sistema mediante alterações no fluxo de gás e geometria do reator. Camadas epitaxiais de GaAs foram crescidas em diferentes temperaturas e pressões parciais de trimetilgálio e arsina e caracterizadas por Efeito Hall (300K e 77K), fotoluminescências à baixa temperatura ( 2K ), raios X (difração e WDS-Wave- lenght Dispersion Spectroscopy), microscopia ótica e eltrônica. Modelos de crescimento e de incorporação de impurezas residuais) baseados no equillbrio termodinâmico na interface sólido gás, são propostos.

ASSUNTO(S)

epitaxia galio lasers semicondutores arsenio

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