Chemical and morphological properties of amorphous hydrogenated. / Propriedades químicas e morfológicas de filmes hidrogenados de carbeto de silício amorfo.

AUTOR(ES)

Rogério Junqueira Prado

DATA DE PUBLICAÇÃO

1997

RESUMO

Nesta dissertação discorremos acerca do crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H), crescidos pelo método de deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD) no regime de baixa densidade de potência a partir de misturas de silano e metano. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades ópticas, morfológicas e composicionais de filmes depositados em diferentes condições de fluxo de silano e concentração de metano. Os resultados não apenas confirmaram dados anteriores obtidos em filmes de a-Si1-xCx:H similares, mas possibilitaram uma melhor compreensão das características deste material. Para a obtenção de um composto de alto gap, alto conteúdo de carbono, química e morfologicamente homogêneo é necessário utilizar baixos fluxos de silano e alta concentração de metano, condições de deposição conhecidas como regime de "plasma faminto por silano". Neste regime são crescidos filmes com Eg >3 eV, x >0,5, maior concentração de ligações Si-C, concentração de hidrogênio de 50 at.%, menor proporção de radicais CH3 e menor densidade de poros.

ASSUNTO(S)

carbeto de silicio pecvd x-rays silicon carbide saxs raios x

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