AnÃlise numÃrica do transistor de toco quÃntico / Numeral analysis of the quantum stub transistor

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2003

RESUMO

O continuado desenvolvimento das tÃcnicas de microfabricaÃÃo tem possibilitado a manufatura de estruturas com dimensÃes menores do que o comprimento de coerÃncia de fase do elÃtron, Lo. Com isso tem surgido diversas propostas de novos dispositivos, dentre eles està o transistor estube quÃntico. Esse transistor consiste de um nanofio cuja condutÃncia apresenta um comportamento oscilatÃrio em funÃÃo do potencial elÃtrico aplicado ao estube, o qual funciona como a porta do FET. De uma maneira geral, estas estruturas sÃo classificadas de mesoscÃpicas e nÃo podem ser descritas pela teoria do transporte semi-clÃssico usual, pois a natureza ondulatÃria do elÃtron tem que ser tomada explicitamente em conta. O potencial aplicado ao estube altera o comprimento efetivo do mesmo e com isso altera o padrÃo de interferÃncia, mudando a condutÃncia do nanofio. Este fenÃmeno quÃntico requer uma voltagem mais baixa e portanto uma menor energia de chaveamento. AlÃm disso, o tamanho reduzido do transistor estube diminui o tempo que o elÃtron leva para cruzÃ-la e como conseqÃÃncia a sua freqÃÃncia de chaveamento pode chegar à faixa de terahertz. Neste trabalho, à examinado o transistor com um, dois ou trÃs estubes, aplicando-se o mÃtodo recursivo para o cÃlculo da funÃÃo de Green. O programa nÃo à especÃfico para esse tipo de dispositivo. TambÃm foi desenvolvida uma interface para facilitar a simulaÃÃo de outros dispositivos quÃnticos

ASSUNTO(S)

nanoeletronics transporte eletrÃnico engenharia eletrica simulaÃÃo simulation electron transport nanoeletrÃnica

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