Active inductor based fully integrated CMOS transmit/ receive switch for 2.4 GHz RF transceiver

AUTOR(ES)
FONTE

An. Acad. Bras. Ciênc.

DATA DE PUBLICAÇÃO

31/05/2016

RESUMO

Não se pode imaginar transmissões modernas por radiofrequência (RF) sem o uso de um comutador T/R (Transmit/Receive switch) de alto desempenho. As opções para estes dispositivos ora disponíveis podem ser penalizadas pelo compromisso de escolha entre os parâmetros para avaliação de desempenho, onde um alto isolamento e baixa perda por inserção do dispositivo são ambos essenciais. Neste estudo, um comutador T/R com alto isolamento e baixa perda de inserção foi projeta do, utilizando processo CMOS de 0,13μm da SilTerra para transceptores com banda de radiofrequência de 2,4 GHz ISM (banda Industrial, Científica e Médica). Para se obter um melhor compromisso, implementou-se: uma razão de aspecto otimizada para os transistores; reistência apropriada para polarização de porta; corpo flutuante resistivo e técnicas de ressonância paralela baseadas em indutor ativo. O comutador T/R proposto possui perda por inserção de 0,85 dB e isolamento de 45,17 dB, seja no modo de transmissão ou de recepção. Em adição, o dispositivo apresenta valores competitivos de potência disponível (P1dB) e linearidade (IIP3), que são de 11,35 dBm e 19,60 dBm, respectivamente. Evitando-se a utilização dos volumosos indutores e capacitores usuais o comutador T/R resultante, baseado em indutor ativo, mostrou-se muito compacto, ocupando apenas 0,003 milímetros quadrados de espaço de silício, o que contribui para a redução de custos de fabricação. Dessa forma, o comutador proposto baseado em indutor ativo construído por processo CMOS 0,13μm será muito útil para indústrias eletrônicas, onde baixa potência, alto desempenho e redução de volumes de dispositivos são questões cruciais.

ASSUNTO(S)

indutor ativo cmos banda ism comutador t/r transceptor

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