A novel thermal plasma-based technology for submicronic silicon carbide production at pilot scale

AUTOR(ES)
FONTE

Cerâmica

DATA DE PUBLICAÇÃO

2019-01

RESUMO

Resumo Pó submicrométrico de carboneto de silício foi sintetizado em um novo reator piloto de tocha a plasma por radiofrequência. Os precursores foram pós de cinza de pirólise e sílica com tamanhos micrométricos. A taxa de massa do pó de precursor variou na faixa de 600-2500 g/h. O tempo máximo do teste foi de aproximadamente 3 h. Com o objetivo de aumentar o rendimento do processo, várias medidas técnicas foram implementadas. O rendimento de carbeto de silício foi superior a 70% quando a chama de plasma foi confinada por um tubo que prolongou o tempo de residência dos reagentes à temperatura útil para o avanço da reação. O carbeto de silício foi caracterizado por DRX, MEV e DLS. Ambas as fases cristalinas α e β foram detectadas.Abstract Submicronic powder of silicon carbide was synthesized in a pilot novel radiofrequency plasma torch reactor. The precursors were pyrolysis char and silica powders both with micrometric size. The mass rate of the precursor powder varied in the range 600-2500 g/h. The maximum test time was approximately 3 h. With the goal to increase the process yield, several technical measures were implemented. Silicon carbide yield was above 70 wt% when the plasma flame was confined by a tube that prolonged the residence time of the reactants at the useful temperature for the advancement of reaction. The silicon carbide was characterized by XRD, SEM, and DLS. Both α and β-crystalline phases were detected.

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