Filmes Finos Propriedades Oticas
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1. Investigação das propriedades estruturais e óticas de filmes finos e nanoestruturados de óxido de vanádio depositados por feixe de elétrons
Neste trabalho foi realizado um estudo das propriedades optoeletroquímicas e estrutural de filmes finos de óxidos de vanádio (V) com objetivo de investigar o comportamento de eletrodos destes filmes frente ao fenômeno da dupla coloração, espectral e monocromática, e sua capacidade de intercalação para íons de lítio. Os filmes foram depositados por
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/03/2012
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2. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
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3. Propriedades óticas e microestruturais de filmes finos eletrodepositados de CdTe
Filmes finos de CdTe foram obtidos por eletrodeposição catódica, a partir de uma solução de CdSO4, H2SO4 e Te. Os filmes foram depositados à temperatura ambiente, sobre substratos de vidro cobertos com SnO2 ou In2O3:Sn. A influência do potencial de deposição nas propriedades microestruturais e óticas dos filmes foi investigada. Os valores de banda
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2012
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4. Obtenção de pós e filmes finos do sistema SrTiO3:Nd / Obtention of Powders and Thin Films of the SrTiO3:Nd System
SrTiO3 é um composto de estrutura perovskita comumente encontrado na fase cúbica. Este trabalho reporta a síntese de pós e filmes finos deste composto na sua forma pura e dopada com Nd3+ em substituição a Ti4+ ou Sr2+ nas estequiometrias SrTi1-xNdxO3 (x = 0,00; 0,01; 0,02; 0,04) e Sr0,99Nd0,01TiO3. Os pós foram sintetizados pelo método dos precursore
Publicado em: 2010
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5. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados com o método de deposição assistida por feixe de íons / Growth and caracterization of ImN semiconductor films by ion beam assisted deposition
Neste trabalho, analisamos as propriedades estruturais, morfológicas e óticas de filmes finos de nitreto de índio, depositados em diferentes tipos de substratos (Si , safira-C, safira-A, safira-R, GaN/ safira e vidro) pelo método de deposição as s i s t ida por feixe de elétrons com energia de íons entre 100 e 1180 eV. A temperatura de substrato dura
Publicado em: 2008
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6. Produção e caracterização de filmes finos de óxido de zinco intrínsecos e dopados com alumínio e boro
Filmes finos de óxido de zinco intrínsecos (ZnO) e dopados com Alumínio (ZnO:Al) e Boro (ZnO:B) foram depositados por spray-pirólise sobre substratos de vidro. Foi estudada a influência de parâmetros como a concentração de dopante, temperatura de substrato (TS) e processamento térmico sob vácuo sobre as propriedades estruturais, óticas e elétrica
Matéria (Rio de Janeiro). Publicado em: 2006-09
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7. Study of plasma fluorination variables for deposition and growth of partially fluorinated polymer on PMMA films / Estudo das variaveis de fluoração via plasma na deposição e crescimento de polimero parcialmente fluorado sobre filmes de PMMA
Dispositivos ópticos poliméricos têm sido promissores para aplicação em comunicações, principalmente na utilização em redes de curta distância devido ao fácil processamento e baixo custo quando comparado aos materiais ópticos fabricados com sílica. Na fabricação de um dispositivo óptico é imprescindível que o índice de refração do núcle
Publicado em: 2006
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8. Modificação da superficie de filmes de PMMA via polimerização por plasma de CHF3 / Surface modification of PMMA films by CHF3 plasma polymerization
Polymeric materials are alternative to inorganic materials for production of optical devices as waveguides and optical fibers (POF) for light transmission. This because the molecular structure of polymers can be versatile modeled, giving materials with different refractive indices, low cost and easy processing. These devices are basically consisted by core w
Publicado em: 2004
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9. Investigation of the oxide phase formation and study of microstructure and morphology influence on Electrochromic properties of Nb2O5 thin films. / Investigação da formação da fase óxido e estudo da influência da microestrutura e morfologia nas propriedades eletrocrômicas de filmes finos de Nb2O5.
O Nb2O5 é conhecido por sua capacidade de variação da absorção ótica, que ocorre em função de um duplo processo de redução e intercalação de íons pequenos, como o Li+. Neste trabalho, filmes eletrocrômicos de Nb2O5 foram produzidos através do método de Pechini e depositados por dip- coating. Inicialmente o efeito das variáveis de composiçã
Publicado em: 2002
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10. Fotocromismo em filmes óxidos de tungstênio
Neste trabalho foi estudado o comportamento ótico, decorrente do efeito fotocrômico, em filmes de óxido de tungstênio do tipo WO3-x depositados por sputtering sob diferentes fluxos de O2 e do tipo HxWO3, depositados por dip coating. O efeito foi provocado irradiando-se com luz UV, filmes colocados no interior de um fotoreator, em atmosferas de vapores de
Publicado em: 2001
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11. Estudo das propriedades fisicas de nitreto de carbono amorfo obtido por decomposição assistida por feixe de ions (IBAD)
Considero que este trabalho contribui na interpretação coerente de resultados espectroscópicos de XPS, UPS, IR, Raman e UV-VIS de um conjunto de mais de 80 filmes de a-C, a-C:H, a-CNxe a-CNx:H depositados por deposição assistida por feixe de íons (IBAD). A variação controlada de parâmetros como a [N], [H], temperatura, corrente e energia de íons in
Publicado em: 2000
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12. Recozimento de filmes finos de sulfeto de cadmio
Filmes finos de sulfeto de cádmio despertam muito interesse acadêmico e tecnológico principalmente devido à combinação de boas propriedades óticas e estruturais, porque esse material apresenta posição da energia do gap em uma região ótima do espectro solar e tem uma boa concordância com outros semicondutores, tais com Cu2S e CdTe. Neste estudo ap
Publicado em: 1997