Dispositivos Optoeletronicos
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1. Propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas semicondutoras baseadas em tálio
Apresentamos um estudo teórico de ligas semicondutoras baseadas em tálio, na estrutura cúbica zincblende, com a possibilidade de serem um alternativa viável para os dispositivos optoeletrônicos que atuam na região do comprimento de onda do infravermelho. A metodologia empregada foi a combinação de cálculos de primeiros princípios de estrutura eletr
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2028
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2. Processamento, propriedades e aplicações das cerâmicas de nitreto de alumínio
Resumo O nitreto de alumínio (AlN) é considerado um adequado material para substratos e materiais de encapsulamento de dispositivos microeletrônicos devido à elevada condutividade térmica, às excelentes propriedades elétricas e ao coeficiente de expansão térmica próximo daquele observado para o silício. Estas propriedades tornam o AlN um excelente
Cerâmica. Publicado em: 2017-12
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3. Propriedades de filmes finos de ZnO:Al depositados sobre substratos de poliimida à temperatura ambiente para aplicações em dispositivos optoeletrônicos flexíveis
Resumo Este trabalho apresenta as propriedades de filmes finos de ZnO:Al crescidos por pulverização catódica com rádio frequência sobre substratos de poliimida para serem utilizados como eletrodos flexíveis de dispositivos optoeletrônicos. Para efeitos de comparação, os filmes também foram crescidos sobre lâminas de vidro soda-lime. Os filmes fora
Cerâmica. Publicado em: 2017-04
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4. Preparação e caracterização de pós e filmes finos de BaTiO3 sintetizados via método Pechini
Nos últimos anos o emprego do titanato de bário (BaTiO3) na indústria de cerâmicas tecnológicas e em dispositivos optoeletrônicos tem se incrementado em decorrência de suas propriedades ferroelétricas, termoelétricas, piezoelétricas e ópticas. O objetivo deste trabalho foi sintetizar e caracterizar pós e filmes finos amorfos de titanato de bário
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2013-12
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5. Síntese e caracterização de sistemas orgânicos semicondutores baseados em tiofeno-fenileno para aplicação em células fotovoltaicas
A combinação, intensificação ou surgimento de novas propriedades em sistemas molecularmente arquitetados e híbridos π-conjugados pode ser estrategicamente explorado na construção de dispositivos optoeletrônicos e produtores e armazenadores de energia. Este trabalho de tese, fruto de uma colaboração multidisciplinar, focaliza a síntese, a cara
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/09/2012
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6. Degradação de sinais com modulação NRZ-DQPSK e 16-QAM em enlaces ponto a ponto com amplificadores ópticos a semicondutor = : NRZ-DQPSK and 16-QAM signal degradation in fiber links with semiconductor optical amplifiers / NRZ-DQPSK and 16-QAM signal degradation in fiber links with semiconductor optical amplifiers
Modulações ópticas avançadas como DQPSK e QAM tem sido escolhidas por serem formatos multiniveis (dois bits ou mais por símbolo), aumentando a eficiência espectral de sistemas ópticos. Entretanto, o amplificador óptico a semicondutor (SOA) indicado principalmente para aplicações de media distancia (da ordem de 20 km), pode degradar o sinal DQPSK e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/07/2012
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7. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
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8. Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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9. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos. / Study of electro optic properties of nanostructured indium nitride thin films and aplication in opto electronics and photonics devices.
O nitreto de índio (InN) e seus derivados (como o oxi-nitreto de índio) são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos optoeletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. Para o InN foi obtido originalmente um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar deste valor aparecer com freqüência na literatura, têm se obtido
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/08/2011
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10. Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso / Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso
O silício é o material dominante na área de microeletrônica devido à conveniência de suas propriedades elétricas, mas em detrimento da natureza de sua estrutura eletrônica suas propriedades associadas a foto-emissão são de rendimento muito baixo, fato que descarta sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como: leds, lasers, displays, e div
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2011
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11. Conversão em comprimento de onda de sinais modulados em fase por mistura de quatro ondas em SOAs / Wavelength conversion of phase modulated channels by four-wave mixing in SOAs
Recently semiconductor optical amplifiers (SOAs) have been the focus of interest in several applications. One of the most common SOA roles is as a wavelength converter, where the device transfers information content among optical carriers in the optical domain. Four wave mixing (FWM), cross-gain modulation (XGM), and cross-phase modulation (XPM) are major no
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/04/2011
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12. Difração Bragg-Superfície no estudo de sistemas epitaxiais baseados em pontos quânticos de InAs/GaAs / Bragg-surface diffraction on the study of epitaxial systems based on InAs/GaAs quantum dots
Nanodispositivos são objetos fabricados pelo homem com estruturas internas as quais têm ao menos uma dimensão física em escala nanométrica. A baixa dimensionalidade implica em níveis de energia quantizados, conferindo notáveis diferenças às propriedades ptoelétricas desses dispositivos, o que os torna bastante atrativos para a indústria de micro e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/03/2011