Tungsten oxide thin films grown by thermal evaporation with high resistance to leaching

AUTOR(ES)

Corrêa, Diogo S., Pazinato, Julia C. O., Freitas, Maurício A. de, Dorneles, Lucio S., Radtke, Claudio, Garcia, Irene T. S.

FONTE

J. Braz. Chem. Soc.

DATA DE PUBLICAÇÃO

2014-05

RESUMO

Óxidos de tungstênio apresentam diferentes estequiometrias, estruturas cristalinas e morfologias. Estas características são importantes principalmente quando se deseja utilizá-los como fotocatalisadores. Neste trabalho foram obtidos filmes finos de óxido de tungstênio por evaporação térmica sobre substratos de silício (100) recobertos com ouro, aquecidos a 350 e 600 ºC. A estequiometria dos filmes formados, morfologia, estrutura cristalina e resistência à lixiviação foram caracterizadas por espectroscopia de fotoelétrons de raios X, espectroscopia micro-Raman, microscopias eletrônicas de varredura e transmissão, difratometria de raios X, espectrometria de retroespalhamento Rutherford e reação nuclear ressonante O16(α,α')O16. Os filmes apresentam estrutura nanométrica, cuja forma torna-se bem definida com o aumento da temperatura. O sistema apresenta-se na forma de WO3.1 e cristaliza principalmente na fase hexagonal, sendo obtidas também estruturas de óxido de tungstênio hidratadas. Os filmes obtidos através de evaporação térmica apresentam resistência à lixiviação em ambiente aquoso e excelente atividade fotocatalítica, que foi testada na degradação do corante alaranjado de metila.

Documentos Relacionados

• Optical and structural studies on SnS films grown by co-evaporation
• Nanocrystalline titanium oxide thin films prepared by sol-gel process
• Yttria and ceria doped zirconia thin films grown by pulsed laser deposition
• Characterization of CdTe thin films grown on glass by hot wall epitaxy
• Thickness dependence of the properties of indium tin oxide (ITO) FILMS prepared by activated reactive evaporation