Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar
AUTOR(ES)
Antonio Jose da Costa Sampaio
DATA DE PUBLICAÇÃO
1977
RESUMO
Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiação incidente ( wl ) e daquela espalhada ( ws ). Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um. formalismo de matriz S e técnicas de propagadores no espaço dos momentos determinamos a Intensidade Integrada de espalhamento e a vida média dos estados eletrônicos. Completamos o trabalho com uma aplicação ao caso Específico do InSb onde discutimos uma série de pontos interessantes. Não são incluídos efeitos de temperatura
ASSUNTO(S)
espalhamento (fisica) fisica nuclear raman espectroscopia de
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000051810Documentos Relacionados
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